通过三星半导体公司可以广泛选择的服务器DRAM芯片，您可以自信地构建优化的数据中心系统以及各种产品。三星半导体的服务器DRAM芯片提供卓越的速度和充足的能源效率。

内存准备满足大规模增长的工作负载。

您的服务器每天需要处理更多的数据，威胁您的业务，性能缓慢，运营成本更高。

三星DRAM设计提供飞速的速度和拥有高容量允许更多的工作量完成

同时优化总拥有成本。

以快速的速度解决繁重的工作负载需求。三星DDR4 RDIMM采用2xnm工艺技术，初始带宽可达2,400 Mbps，并且具有达到JEDEC定义的技术的2,200 Mbps，DDR3的双倍速度。

以快速的速度解决繁重的工作量需求。

三星的先进DRAM使您的数据中心能够处理日益增长的数据流量和多个应用程序。以出色的速度处理大型工作负载，三星服务器DRAM还提供从意外故障快速恢复。

三星DDR4 RDIMM采用2xnm工艺技术，初始带宽可达2,400 Mbps，并且具有达到JEDEC定义的技术的2,200 Mbps，DDR3的双倍速度。

通过TSV技术实现前所未有的能力。

三星的先进工艺和封装技术提供更大的容量，服务器中的DRAM更少。三星DRAM旨在减少物理空间需求和相关成本。

三星为DDR4配备8Gb芯片，使DDR3的4Gb密度翻倍。使用8Gb芯片，TSV RDIMM提供最大容量为128GB。

高容量RDIMM也可以替代广泛用于其高容量的LRDIMM，尽管其速度相对较慢。

高效的功耗降低了成本。

凭借其独特的2xnm和TSV技术，三星服务器DRAM消耗更少的功率，而不影响其性能。低功耗导致较少的热产生，并且这些益处意味着能量和冷却成本的大量减少。

三星DDR4的2xnm技术和1.2V的低工作电压实现比DDR3高约26％的能量效率。在内存模块中，三星TSV RDIMM将功耗和发热量降低了约28％。

您值得信赖的合作伙伴，确保可靠的服务

为了满足数据中心运行更关键的系统和处理更多流量的需求，三星DRAM提供高可靠性和可用性更长的时间没有故障。

DDR4的增强型RAS功能检测并通知数据传输错误发生的时间。这意味着三星DRAM提供了卓越的数据可靠性和信号完整性，是任务关键型企业应用所必需的。